意法半導體(tǐ)新推出的SLLIMM™-nano智能功率模塊(IPM)引入新的封裝類型，并集成更多元器件，加快300W以下(xià)低功率電機驅動器研發，簡化組裝過程。

3A和5A 模塊内置當前*********的600V超結MOSFET，最大(dà)限度提升空氣壓縮機、風扇、泵等設備的能效。各種直列引腳或Z形引腳封裝有助于優化空間占用率，确保所需的引腳間距。内部開(kāi)孔選項讓低價散熱器的安裝更容易。此外(wài)，發射極開(kāi)路輸出分(fēn)開(kāi)設計可簡化PCB闆單路或三路Shunt (分(fēn)流電阻)電流監視走線。

每個IPM模塊都包含由六支MOSFET組成的三相半橋和一(yī)個高壓栅驅動芯片。新增功能有助于簡化保護電路和防錯電路設計，包括一(yī)個用于檢測電流的未使用的運放(fàng)、用于高速錯誤保護電路的比較器和用于監視溫度的可選的NTC (負溫度系數)熱敏電阻，還集成一(yī)個自舉二極管，以降低物(wù)料清單(BOM)成本，簡化電路闆布局設計。智能關斷電路可保護功率開(kāi)關管，欠壓鎖保護(UVLO)預防低Vcc或Vboot電壓引起的功能失效。

超結MOSFET在25°C時通态電阻隻有1.0Ω，最大(dà) 1.6Ω ，低電容和低栅電荷可最大(dà)限度降低通态損耗和開(kāi)關損耗，從而提升20kHz以下(xià)硬開(kāi)關電路的能效，包括各種工(gōng)業電機驅動器，準許低功率應用無需使用散熱器。此外(wài)，優化的開(kāi)關di/dt和dV/dt上升速率确保EMI幹擾處于一(yī)個較低的級别，可以進一(yī)步簡化電路的設計布局。

新模塊的最高額定結溫是150°C，取得了UL 1557認證，電絕緣級别高達1500Vrms/min。